存儲(chǔ)芯片三大原廠擬在下季拉動(dòng)DRAM價(jià)格上漲

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近日，有市場(chǎng)消息稱，存儲(chǔ)芯片三大原廠擬在下季拉動(dòng)DRAM價(jià)格上漲。業(yè)內(nèi)人士表示，目前三大原廠都想要拉合約價(jià)，目標(biāo)漲幅7%~8%。雖然仍有庫(kù)存以及終端需求未見(jiàn)明顯復(fù)蘇的跡象，但進(jìn)入拉扯的角力戰(zhàn)，至少代表產(chǎn)業(yè)落底、復(fù)蘇有望。

縱觀近幾個(gè)月來(lái)DRAM價(jià)格走勢(shì)，據(jù)日經(jīng)報(bào)道統(tǒng)計(jì)，此前截至2023年4月，DRAM價(jià)格連續(xù)12個(gè)月下滑，作為價(jià)格指標(biāo)的“DDR4 8GB”產(chǎn)品的6月的大宗交易價(jià)格比1年前下跌45%。

DRAM市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2023年第四季度實(shí)現(xiàn)供需平衡

全球經(jīng)濟(jì)前景不樂(lè)觀，導(dǎo)致 DRAM 需求下滑，隨著 DRAM 價(jià)格的連續(xù)下跌，三星、海力士等相關(guān)大廠的業(yè)績(jī)前景都不被看好。業(yè)內(nèi)人士稱，DRAM市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2023年第四季度實(shí)現(xiàn)供需平衡。

DRAM 其實(shí)就是我們一般生活中常常在講的“存儲(chǔ)”，只是“儲(chǔ)存”這個(gè)東西又可以透過(guò)產(chǎn)品特性的不同，分為許多不同種類。

DRAM行業(yè)市場(chǎng)調(diào)研

DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。

因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)，周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō)，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。

按照市場(chǎng)規(guī)?？矗珼RAM 約占存儲(chǔ)器市場(chǎng)53%，NANDFlash 約占存儲(chǔ)器市場(chǎng)42%，二者合計(jì)份額達(dá)95%，為存儲(chǔ)器市場(chǎng)主要構(gòu)成產(chǎn)品。

在存儲(chǔ)器領(lǐng)域，中國(guó)幾乎完全依賴于進(jìn)口，存儲(chǔ)器已經(jīng)成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一， 存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化也成為了我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展大戰(zhàn)略中的重要一步。?

據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)院研究報(bào)告《2022-2027年中國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資策略預(yù)測(cè)報(bào)告》分析

DRAM行業(yè)的上游是晶圓制造商以及封裝測(cè)試廠商，行業(yè)下游為智能手機(jī)、個(gè)人 PC、服務(wù)器等眾多終端應(yīng)用行業(yè)。

DRAM產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)硬件、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子等行業(yè)以及個(gè)人移動(dòng)存儲(chǔ)等領(lǐng)域。

DRAM 為存儲(chǔ)市場(chǎng)中出貨量及銷售額最高的產(chǎn)品，DRAM 相較于 Flash 產(chǎn)品具備讀寫(xiě)速度快的特性，相較于 SRAM 具有存儲(chǔ)量大、單成本低的優(yōu)勢(shì)。 DRAM 主要用于內(nèi)存條，內(nèi)存條是 CPU 與硬盤之間的橋梁，起到數(shù)據(jù)暫存的 作用， 提升了 CPU 的運(yùn)算速度。

目前市面上 DRAM 的終端應(yīng)用以個(gè)人電腦為主(約占市場(chǎng) 75% )，主要市場(chǎng)來(lái)自 PC 內(nèi)會(huì)使用到的高容量 DRAM。隨著定制化技術(shù)的創(chuàng)新，目前市場(chǎng)上所看到的 EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM 等等這些產(chǎn)品，都是不同規(guī)格的 DRAM 。

DRAM 市場(chǎng)中的“三大巨頭”，分別是三星電子、SK 海力士和美光科技。市占率部分，三星電子約 42.3%、SK 海力士約 29.7%，美光約 22.3%。

發(fā)展趨勢(shì)

DRAM 行業(yè)的顯著趨勢(shì)之一是推動(dòng)更高的內(nèi)存容量。隨著人工智能、大數(shù)據(jù)分析和云計(jì)算等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的興起,對(duì)高內(nèi)存密度的需求不斷增長(zhǎng),以滿足這些應(yīng)用的處理要求。

市場(chǎng)需求

5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等信息技術(shù)及手機(jī)、PC等智能產(chǎn)品的發(fā)展對(duì)DRAM應(yīng)用產(chǎn)品的需求廣闊，中國(guó)未來(lái)仍為全球最大的DRAM需求市場(chǎng)。

未來(lái)隨著智能手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心等對(duì)存儲(chǔ)器需求不斷增長(zhǎng)，從2020年到2025年全球NAND Flash容量將維持在30%左右高增長(zhǎng)，DRAM容量將以20%左右的增長(zhǎng)率成長(zhǎng)。

DRAM行業(yè)研究報(bào)告旨在從國(guó)家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析DRAM未來(lái)的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢(shì)，挖掘DRAM行業(yè)的市場(chǎng)潛力，基于重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的深度研究，提供對(duì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、產(chǎn)業(yè)盈利水平等多個(gè)角度市場(chǎng)變化的生動(dòng)描繪，清晰發(fā)展方向。

欲了解更多關(guān)于DRAM行業(yè)的市場(chǎng)數(shù)據(jù)及未來(lái)行業(yè)投資前景，可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)院研究報(bào)告《2022-2027年中國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資策略預(yù)測(cè)報(bào)告》。